O transistor bipolar de porta isolada, inventado por B. Jayant Baliga no início da década de 1980, gerou mais de 15 trilhões de dólares em economia global para os consumidores. Este dispositivo semicondutor de potência serve como o interruptor fundamental para diversas aplicações, desde veículos elétricos e redes elétricas inteligentes até equipamentos médicos e eletrodomésticos comuns.
Educação inicial e influências
Nascido em Chennai, na Índia, em 1948, Bantval Jayant Baliga passou a infância na aldeia de Jalahalli, perto de Bangalore. A sua base académica começou na Bishop Cotton Boys' School, onde se formou em 1963. O seu pai, Bantval Vittal Manjunath Baliga, foi um dos primeiros engenheiros eletricistas indianos a ajudar a estabelecer os setores de televisão e eletrónica do país. O pai de Baliga apresentou o filho às publicações técnicas do Institute of Radio Engineers durante os seus anos de ensino secundário. Baliga obteve mais tarde uma licenciatura em engenharia elétrica pelo Indian Institute of Technology Madras em 1969, seguida pelos seus mestrados e doutoramentos pelo Rensselaer Polytechnic Institute em 1971 e 1974, respetivamente.
Contribuições para a eletrónica de potência
Baliga passou 15 anos como investigador no General Electric Research and Development Center em Schenectady, Nova Iorque. O seu trabalho na década de 1980 resultou na criação do transistor bipolar de porta isolada, que fundiu princípios da engenharia elétrica e eletrónica. Esta inovação permitiu a comutação digital precisa da corrente elétrica, melhorando significativamente a eficiência energética em tecnologias de grande escala e de consumo. Para além da sua investigação, Baliga fundou três empresas focadas em tecnologia de semicondutores e detém 120 patentes nos EUA.
Carreira académica e reconhecimento global
Em 1988, Baliga juntou-se ao corpo docente da North Carolina State University, atingindo mais tarde o posto de Distinguished University Professor em 1997. A sua produção de investigação valeu-lhe uma vasta validação profissional, incluindo a adesão à National Academy of Engineering em 1993 e à European Academy of Sciences em 2005. Recebeu a National Medal of Technology and Innovation do Presidente Barack Obama em 2011 e a IEEE Medal of Honor em 2014. Em 2024, foi nomeado vencedor do Millennium Technology Prize.
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- Nascimento: 28 de abril de 1948, Chennai, Índia - Cidadania: Estados Unidos e Índia - Educação: IIT Madras, Rensselaer Polytechnic Institute - Invenção chave: Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) - Patentes nos EUA: 120 - Introduzido no National Inventors Hall of Fame: 2016 - Instituição académica: North Carolina State University
Perguntas dos leitores
### Qual é a função principal do IGBT?
Atua como um interruptor de transistor de alta eficiência utilizado para controlar e distribuir energia em dispositivos que vão desde sistemas de energia solar e eólica até eletrodomésticos e carros elétricos.
### Qual é a importância do Millennium Technology Prize para Baliga?
Atribuído em 2024, o prémio de um milhão de euros reconhece a sua invenção do IGBT, que é considerada um dos desenvolvimentos mais vitais para a eficiência da distribuição global de energia.
