बी. जयंत बलिगा

1980 के दशक की शुरुआत में बी. जयंत बलिगा द्वारा आविष्कार किए गए इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर ने वैश्विक उपभोक्ताओं के लिए 15 ट्रिलियन डॉलर से अधिक की बचत की है। यह पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस इलेक्ट्रिक वाहनों और स्मार्ट पावर ग्रिड से लेकर मेडिकल हार्डवेयर और सामान्य घरेलू उपकरणों तक के विविध अनुप्रयोगों के लिए एक मौलिक स्विच के रूप में कार्य करता है।

प्रारंभिक शिक्षा और प्रभाव

1948 में भारत के चेन्नई में जन्मे, बंटवाल जयंत बलिगा ने अपना बचपन बैंगलोर के पास जलाहल्ली गांव में बिताया। उनकी शैक्षणिक नींव बिशप कॉटन बॉयज़ स्कूल से शुरू हुई, जहाँ से उन्होंने 1963 में स्नातक किया। उनके पिता, बंटवाल विट्ठल मंजूनाथ बलिगा, भारत के शुरुआती इलेक्ट्रिकल इंजीनियरों में से एक थे, जिन्होंने देश के टेलीविजन और इलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्रों को स्थापित करने में मदद की थी। बलिगा के पिता ने उन्हें हाई स्कूल के वर्षों के दौरान इंस्टीट्यूट ऑफ रेडियो इंजीनियर्स की तकनीकी कार्यवाही से परिचित कराया। बलिगा ने बाद में 1969 में इंडियन इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी मद्रास से इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में बी.टेक की डिग्री हासिल की, जिसके बाद 1971 और 1974 में रेंससेलर पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट से क्रमशः एमएस और पीएचडी की डिग्री प्राप्त की।

पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में योगदान

बलिगा ने न्यूयॉर्क के शेनेक्टेडी में जनरल इलेक्ट्रिक रिसर्च एंड डेवलपमेंट सेंटर में एक शोधकर्ता के रूप में 15 साल बिताए। 1980 के दशक में उनके काम के परिणामस्वरूप इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर का निर्माण हुआ, जिसने इलेक्ट्रिकल और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग दोनों के सिद्धांतों को मिला दिया। इस नवाचार ने विद्युत प्रवाह की सटीक डिजिटल स्विचिंग की अनुमति दी, जिससे बड़े पैमाने पर और उपभोक्ता प्रौद्योगिकियों में ऊर्जा दक्षता में काफी सुधार हुआ। अपने शोध के अलावा, बलिगा ने सेमीकंडक्टर तकनीक पर केंद्रित तीन कंपनियों की स्थापना की और उनके पास 120 अमेरिकी पेटेंट हैं।

शैक्षणिक कार्यकाल और वैश्विक मान्यता

1988 में, बलिगा नॉर्थ कैरोलिना स्टेट यूनिवर्सिटी में फैकल्टी में शामिल हुए, और बाद में 1997 में डिस्टिंग्विश्ड यूनिवर्सिटी प्रोफेसर के पद तक पहुंचे। उनके शोध आउटपुट ने उन्हें व्यापक पेशेवर मान्यता दिलाई, जिसमें 1993 में नेशनल एकेडमी ऑफ इंजीनियरिंग और 2005 में यूरोपियन एकेडमी ऑफ साइंसेज की सदस्यता शामिल है। उन्हें 2011 में राष्ट्रपति बराक ओबामा से नेशनल मेडल ऑफ टेक्नोलॉजी एंड इनोवेशन और 2014 में IEEE मेडल ऑफ ऑनर प्राप्त हुआ। 2024 में, उन्हें मिलेनियम टेक्नोलॉजी प्राइज का प्राप्तकर्ता नामित किया गया।

त्वरित तथ्य

- जन्म: 28 अप्रैल 1948, चेन्नई, भारत - नागरिकता: संयुक्त राज्य अमेरिका और भारत - शिक्षा: आईआईटी मद्रास, रेंससेलर पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट - प्रमुख आविष्कार: इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (IGBT) - अमेरिकी पेटेंट: 120 - नेशनल इनवेंटर्स हॉल ऑफ फेम में शामिल: 2016 - शैक्षणिक संस्थान: नॉर्थ कैरोलिना स्टेट यूनिवर्सिटी

पाठकों के प्रश्न

### IGBT का प्राथमिक कार्य क्या है?

यह एक उच्च-दक्षता वाले ट्रांजिस्टर स्विच के रूप में कार्य करता है जिसका उपयोग सौर और पवन ऊर्जा प्रणालियों से लेकर उपभोक्ता उपकरणों और इलेक्ट्रिक कारों तक के उपकरणों में ऊर्जा को नियंत्रित और वितरित करने के लिए किया जाता है।

### बलिगा के लिए मिलेनियम टेक्नोलॉजी प्राइज का क्या महत्व है?

2024 में प्रदान किया गया यह दस लाख यूरो का पुरस्कार उनके IGBT के आविष्कार को मान्यता देता है, जिसे वैश्विक ऊर्जा वितरण दक्षता के लिए सबसे महत्वपूर्ण विकासों में से एक माना जाता है।