Биполярный транзистор с изолированным затвором, изобретенный Б. Джаянт Балигой в начале 1980-х годов, позволил потребителям во всем мире сэкономить более 15 триллионов долларов. Это силовое полупроводниковое устройство служит фундаментальным переключателем для самых разных областей применения: от электромобилей и интеллектуальных энергосетей до медицинского оборудования и бытовой техники.
Раннее образование и влияние
Бантвал Джаянт Балига родился в Ченнаи, Индия, в 1948 году и провел детство в деревне Джалахалли недалеко от Бангалора. Его академический путь начался в школе Bishop Cotton Boys' School, которую он окончил в 1963 году. Его отец, Бантвал Виттал Манджунат Балига, был одним из первых индийских инженеров-электриков, помогавших создавать телевизионную и электронную отрасли страны. Отец познакомил сына с техническими публикациями Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике еще в школьные годы. Позже Балига получил степень бакалавра электротехники в Индийском технологическом институте в Мадрасе в 1969 году, а затем степени магистра и доктора философии в Политехническом институте Ренсселера в 1971 и 1974 годах соответственно.
Вклад в силовую электронику
Балига 15 лет проработал исследователем в Центре исследований и разработок General Electric в Скенектади, штат Нью-Йорк. Его работа в 1980-х годах привела к созданию биполярного транзистора с изолированным затвором, который объединил принципы электротехники и электроники. Это новшество позволило осуществлять точное цифровое переключение электрического тока, значительно повысив энергоэффективность в крупномасштабных и потребительских технологиях. Помимо исследовательской деятельности, Балига основал три компании, специализирующиеся на полупроводниковых технологиях, и владеет 120 патентами США.
Академическая карьера и мировое признание
В 1988 году Балига стал преподавателем в Университете штата Северная Каролина, а в 1997 году получил звание заслуженного профессора университета. Его научные достижения получили широкое профессиональное признание, включая членство в Национальной инженерной академии США в 1993 году и Европейской академии наук в 2005 году. В 2011 году он получил Национальную медаль США в области технологий и инноваций из рук президента Барака Обамы, а в 2014 году — медаль почета IEEE. В 2024 году он был объявлен лауреатом премии «Технология тысячелетия».
Двадцать вопросов, восемь минут на часах и процентиль, измеренный по всем, кто его проходил. Без регистрации.
Пройти тест IQ →Краткие факты
- Родился: 28 апреля 1948 г., Ченнаи, Индия - Гражданство: США и Индия - Образование: ИИТ Мадрас, Политехнический институт Ренсселера - Ключевое изобретение: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - Патенты США: 120 - Введен в Национальный зал славы изобретателей: 2016 г. - Академическое место работы: Университет штата Северная Каролина
Вопросы читателей
### Какова основная функция IGBT?
Он действует как высокоэффективный транзисторный переключатель, используемый для управления и распределения энергии в устройствах, начиная от систем солнечной и ветровой энергетики и заканчивая бытовой техникой и электромобилями.
### Каково значение премии «Технология тысячелетия» для Балиги?
Присужденная в 2024 году премия в размере одного миллиона евро отмечает его изобретение IGBT, которое считается одним из важнейших достижений для эффективности глобального распределения энергии.
