ドブ・フローマン

1970年の消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ(EPROM)の開発は、半導体業界に不揮発性で再プログラム可能なストレージソリューションを提供しました。この発明は、以前は工場レベルでの恒久的なマスキングが必要だったチップ製造における長年の非効率性を解決しました。その結果生まれた技術は、フラッシュメモリの開発とマイクロコンピュータ部門のより広範な成長にとって不可欠な触媒となりました。

生い立ちと教育

1939年にアムステルダムでポーランド系ユダヤ人の両親のもとに生まれ、戦争中はスプラン・カペレのキリスト教徒の家族のもとに隠れて過ごしました。戦後、1949年にイスラエルに移住しました。1959年にテクニオン(イスラエル工科大学)に入学し、1963年に電気工学の学位を取得しました。その後、米国に移り、カリフォルニア大学バークレー校で修士号と博士号を取得しました。

インテルでのエンジニアリング

フェアチャイルドセミコンダクターでの短い勤務の後、1969年にインテルに入社し、ゴードン・ムーア、ロバート・ノイス、アンドリュー・グローブと共に働きました。初期製品の欠陥を分析中にEPROMを考案しました。この開発以前、半導体メモリは電源なしではデータを失う揮発性RAMか、変更が極めて困難な固定ROMに限定されていました。彼のソリューションはエンジニアリングの金字塔として残っています。

インテル・イスラエルの設立

ガーナで教えるために一時的にインテルを離れましたが、イスラエルでの研究を促進する意図を持って1973年に復帰しました。1974年にハイファにチップ設計センターを設立し、これは米国以外で初のインテル施設となりました。その後、1985年にインテル・イスラエルのゼネラルマネージャーとなり、キリヤット・ガットにおける重要な製造インフラの建設を監督しました。

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運営の継続性とリーダーシップ

1991年の湾岸戦争中、当局の閉鎖勧告にもかかわらず、インテル・イスラエルの製造業務を維持しました。この決定により、ミサイル攻撃下でも継続性が確保されました。後に、ロバート・ハワードとの共著である2008年の著書『Leadership the Hard Way』で自身の管理戦略を文書化しました。2001年に同社を退職しました。

基本情報

- 生誕: 1939年、アムステルダム - 分野: 電気工学 - 教育: テクニオン、カリフォルニア大学バークレー校 - 主要な発明: EPROM - 雇用主: インテル - イスラエル賞: 1991年 - 全米発明家殿堂: 2009年 - エジソンメダル: 2008年

読者からの質問

### EPROMの主な重要性は何ですか?

簡単に消去および再プログラム可能な最初の不揮発性メモリチップを提供し、それが後のフラッシュメモリ技術を可能にしました。

### エンジニアリング以外の役割も務めましたか?

はい、ビジネスエグゼクティブ、インテル・イスラエルのゼネラルマネージャー、そして著者として務めました。

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