Il transistor a punta di contatto è nato dalla persistente ricerca sui semiconduttori condotta da Walter Houser Brattain, John Bardeen e William Shockley. Nato nel 1902 a Xiamen, in Cina, Brattain ha seguito un percorso accademico negli Stati Uniti che lo ha portato a un ruolo fondamentale presso i Bell Telephone Laboratories, dove ha trascorso la sua carriera facendo progredire la comprensione degli stati superficiali e della fisica dello stato solido.
Istruzione iniziale e base accademica
Brattain è cresciuto nello stato di Washington, frequentando la Queen Anne High School e la Tonasket High School prima di iscriversi al Whitman College. Si è laureato nel 1924 con una doppia specializzazione in fisica e matematica. Ha proseguito la sua formazione accademica presso l'Università dell'Oregon, conseguendo un master nel 1926, e ha completato il suo dottorato presso l'Università del Minnesota nel 1929, dove ha studiato meccanica quantistica sotto la direzione di John Van Vleck e ha scritto una tesi sull'impatto degli elettroni sotto John T. Tate.
Bell Labs e ricerca sui semiconduttori
Dopo un breve periodo presso il National Bureau of Standards, Brattain è entrato a far parte dei Bell Telephone Laboratories nel 1929. Lavorando a fianco di Joseph A. Becker, ha condotto esperimenti sull'emissione termoionica e sulla rettifica in ossido rameoso e silicio. Questi studi sull'effetto fotoelettrico sulle superfici dei semiconduttori sono stati contributi significativi alla fisica dello stato solido. Durante la Seconda Guerra Mondiale, la sua ricerca si è orientata verso il National Defense Research Committee, dove ha sviluppato magnetometri per rilevare navi sommerse, ottenendo un brevetto per il suo progetto nel 1944.
L'invenzione del transistor
Nel 1945, i Bell Labs hanno istituito un gruppo di ricerca fondamentale sulla fisica dello stato solido. Brattain, Bardeen e Shockley si sono concentrati sulla sostituzione dei tubi a vuoto inaffidabili con amplificatori a semiconduttore. Alla fine del 1947, Brattain e Bardeen hanno analizzato il fallimento dei precedenti progetti a effetto di campo, concludendo che gli stati superficiali intrappolavano i portatori di carica. Il 16 dicembre 1947, Brattain ha dimostrato con successo l'amplificazione utilizzando due contatti a foglia d'oro su una superficie di germanio. Il 23 dicembre, il team ha presentato il primo transistor a punta di contatto funzionale ai colleghi.
Venti domande, otto minuti di orologio e un percentile misurato su tutti quelli che l’hanno fatto. Senza registrazione.
Fai il test del QI →Riconoscimento professionale e ultimi anni
Brattain ha condiviso il Premio Nobel per la Fisica del 1956 con Bardeen e Shockley per il loro sviluppo collaborativo del transistor. I suoi risultati tecnici gli sono valsi l'adesione a organizzazioni come la National Academy of Sciences, l'American Physical Society e l'American Academy of Arts and Sciences. È stato anche insignito della Stuart Ballantine Medal, del John Scott Award e del Richtmyer Memorial Lecture Award. Dopo la sua carriera di ricerca, ha ricoperto un incarico presso il Whitman College. È deceduto nel 1987 a Seattle ed è sepolto nel cimitero della città di Pomeroy.
Fatti rapidi
- Nascita: 1902, Xiamen - Decesso: 1987, Seattle - Cittadinanza: Stati Uniti - Istruzione: Università dell'Oregon, Università del Minnesota, Whitman College - Premio principale: Premio Nobel per la Fisica (1956) - Invenzione: Transistor a punta di contatto - Luogo di sepoltura: Cimitero della città di Pomeroy
Domande dei lettori
### Qual è stato il contributo principale di Brattain alla fisica?
È riconosciuto per il suo lavoro sperimentale nella fisica dello stato solido, in particolare la scoperta dell'effetto fotoelettrico sulle superfici dei semiconduttori e l'invenzione del transistor a punta di contatto.
### Ha lavorato da solo al transistor?
No, ha collaborato con John Bardeen e William Shockley presso i Bell Labs, dimostrando il dispositivo ai colleghi nel 1947.
