Le transistor à pointe est né des recherches persistantes sur les semi-conducteurs menées par Walter Houser Brattain, John Bardeen et William Shockley. Né en 1902 à Xiamen, en Chine, Brattain a suivi un parcours académique aux États-Unis qui l'a conduit à un rôle fondamental aux Bell Telephone Laboratories, où il a passé sa carrière à faire progresser la compréhension des états de surface et de la physique de l'état solide.
Éducation et fondation académique
Brattain a grandi dans l'État de Washington, fréquentant la Queen Anne High School et la Tonasket High School avant de s'inscrire au Whitman College. Il a obtenu en 1924 une double spécialisation en physique et en mathématiques. Il a poursuivi sa formation académique à l'Université de l'Oregon, obtenant une maîtrise en 1926, et a terminé son doctorat à l'Université du Minnesota en 1929, où il a étudié la mécanique quantique sous la direction de John Van Vleck et a rédigé une thèse sur l'impact des électrons sous la direction de John T. Tate.
Bell Labs et recherche sur les semi-conducteurs
Après un court passage au National Bureau of Standards, Brattain a rejoint les Bell Telephone Laboratories en 1929. Travaillant aux côtés de Joseph A. Becker, il a mené des expériences sur l'émission thermoïonique et la rectification dans l'oxyde cuivreux et le silicium. Ces études sur l'effet photoélectrique aux surfaces des semi-conducteurs ont été des contributions significatives à la physique de l'état solide. Pendant la Seconde Guerre mondiale, ses recherches se sont orientées vers le National Defense Research Committee, où il a développé des magnétomètres pour détecter les navires submergés, obtenant un brevet pour sa conception en 1944.
L'invention du transistor
En 1945, les Bell Labs ont créé un groupe de recherche fondamentale en physique de l'état solide. Brattain, Bardeen et Shockley se sont concentrés sur le remplacement des tubes à vide peu fiables par des amplificateurs à semi-conducteurs. Fin 1947, Brattain et Bardeen ont analysé l'échec des conceptions antérieures à effet de champ, concluant que les états de surface piégeaient les porteurs de charge. Le 16 décembre 1947, Brattain a démontré avec succès l'amplification en utilisant deux contacts en feuille d'or sur une surface de germanium. Le 23 décembre, l'équipe a présenté le premier transistor à pointe fonctionnel à ses collègues.
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Brattain a partagé le prix Nobel de physique 1956 avec Bardeen et Shockley pour leur développement collaboratif du transistor. Ses réalisations techniques lui ont valu des adhésions à des organisations telles que la National Academy of Sciences, l'American Physical Society et l'American Academy of Arts and Sciences. Il a également été honoré par la médaille Stuart Ballantine, le prix John Scott et le prix Richtmyer Memorial Lecture. Après sa carrière de chercheur, il a occupé un poste au Whitman College. Il est décédé en 1987 à Seattle et est enterré au cimetière de la ville de Pomeroy.
Faits en bref
- Naissance : 1902, Xiamen - Décès : 1987, Seattle - Citoyenneté : États-Unis - Éducation : Université de l'Oregon, Université du Minnesota, Whitman College - Prix majeur : Prix Nobel de physique (1956) - Invention : Transistor à pointe - Lieu de sépulture : Cimetière de la ville de Pomeroy
Questions des lecteurs
### Quelle a été la contribution principale de Brattain à la physique ?
Il est reconnu pour ses travaux expérimentaux en physique de l'état solide, notamment la découverte de l'effet photoélectrique aux surfaces des semi-conducteurs et l'invention du transistor à pointe.
### A-t-il travaillé seul sur le transistor ?
Non, il a collaboré avec John Bardeen et William Shockley aux Bell Labs, démontrant le dispositif à ses collègues en 1947.
