Der Spitzentransistor entstand aus der beharrlichen Halbleiterforschung von Walter Houser Brattain, John Bardeen und William Shockley. Brattain wurde 1902 in Xiamen, China, geboren und verfolgte in den USA eine akademische Laufbahn, die ihn in eine grundlegende Rolle bei den Bell Telephone Laboratories führte, wo er seine Karriere damit verbrachte, das Verständnis von Oberflächenzuständen und Festkörperphysik voranzutreiben.
Frühe Bildung und akademisches Fundament
Brattain wuchs im US-Bundesstaat Washington auf und besuchte die Queen Anne High School und die Tonasket High School, bevor er sich am Whitman College einschrieb. Er schloss sein Studium 1924 mit einem Doppel-Hauptfach in Physik und Mathematik ab. Seine akademische Ausbildung setzte er an der University of Oregon fort, wo er 1926 einen Master-Abschluss erlangte, und promovierte 1929 an der University of Minnesota, wo er unter John Van Vleck Quantenmechanik studierte und eine Dissertation über Elektronenstoß unter John T. Tate schrieb.
Bell Labs und Halbleiterforschung
Nach einer kurzen Tätigkeit am National Bureau of Standards kam Brattain 1929 zu den Bell Telephone Laboratories. In Zusammenarbeit mit Joseph A. Becker führte er Experimente zur thermionischen Emission und Gleichrichtung in Kupferoxid und Silizium durch. Diese Studien zum photoelektrischen Effekt an Halbleiteroberflächen waren bedeutende Beiträge zur Festkörperphysik. Während des Zweiten Weltkriegs verlagerte sich seine Forschung auf das National Defense Research Committee, wo er Magnetometer zur Erkennung untergetauchter Schiffe entwickelte und 1944 ein Patent für sein Design erhielt.
Die Erfindung des Transistors
1945 gründeten die Bell Labs eine Grundlagenforschungsgruppe für Festkörperphysik. Brattain, Bardeen und Shockley konzentrierten sich darauf, unzuverlässige Vakuumröhren durch Halbleiterverstärker zu ersetzen. Ende 1947 analysierten Brattain und Bardeen das Versagen früherer Feldeffekt-Designs und kamen zu dem Schluss, dass Oberflächenzustände Ladungsträger einfingen. Am 16. Dezember 1947 demonstrierte Brattain erfolgreich die Verstärkung unter Verwendung von zwei Goldblattkontakten auf einer Germaniumoberfläche. Am 23. Dezember präsentierte das Team seinen Kollegen den ersten funktionsfähigen Spitzentransistor.
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IQ-Test starten →Berufliche Anerkennung und spätere Jahre
Brattain teilte sich 1956 den Nobelpreis für Physik mit Bardeen und Shockley für ihre gemeinsame Entwicklung des Transistors. Seine technischen Leistungen brachten ihm Mitgliedschaften in Organisationen wie der National Academy of Sciences, der American Physical Society und der American Academy of Arts and Sciences ein. Er wurde außerdem mit der Stuart Ballantine Medal, dem John Scott Award und dem Richtmyer Memorial Lecture Award ausgezeichnet. Nach seiner Forschungskarriere hatte er eine Stelle am Whitman College inne. Er starb 1987 in Seattle und ist auf dem Pomeroy City Cemetery begraben.
Fakten auf einen Blick
- Geboren: 1902, Xiamen - Gestorben: 1987, Seattle - Staatsbürgerschaft: Vereinigte Staaten - Ausbildung: University of Oregon, University of Minnesota, Whitman College - Wichtige Auszeichnung: Nobelpreis für Physik (1956) - Erfindung: Spitzentransistor - Grabstätte: Pomeroy City Cemetery
Fragen von Lesern
### Was war Brattains wichtigster Beitrag zur Physik?
Er ist für seine experimentelle Arbeit in der Festkörperphysik anerkannt, insbesondere für die Entdeckung des photoelektrischen Effekts an Halbleiteroberflächen und die Erfindung des Spitzentransistors.
### Hat er alleine am Transistor gearbeitet?
Nein, er arbeitete mit John Bardeen und William Shockley in den Bell Labs zusammen und demonstrierte das Gerät 1947 seinen Kollegen.
