点接触晶体管源于沃尔特·豪泽·布拉顿、约翰·巴丁（John Bardeen）和威廉·肖克利（William Shockley）对半导体的持续研究。布拉顿于1902年出生在中国厦门，在美国走上了一条学术道路，这使他在贝尔电话实验室（Bell Telephone Laboratories）发挥了基础性作用，他在那里度过了自己的职业生涯，推动了对表面态和固体物理学的理解。
早期教育与学术基础
布拉顿在华盛顿州长大，在进入惠特曼学院（Whitman College）之前，曾就读于安妮女王高中（Queen Anne High School）和托纳斯凯特高中（Tonasket High School）。他于1924年毕业，主修物理学和数学。他在俄勒冈大学继续深造，于1926年获得硕士学位，并于1929年在明尼苏达大学完成了博士学位，在那里他在约翰·范弗莱克（John Van Vleck）的指导下学习量子力学，并在约翰·T·泰特（John T. Tate）的指导下撰写了关于电子碰撞的论文。
贝尔实验室与半导体研究
在国家标准局短暂工作后，布拉顿于1929年加入贝尔电话实验室。他与约瑟夫·A·贝克（Joseph A. Becker）合作，进行了关于氧化亚铜和硅的热电子发射和整流实验。这些关于半导体表面光电效应的研究是对固体物理学的重大贡献。第二次世界大战期间，他的研究转向国防研究委员会，在那里他开发了用于探测潜水舰艇的磁力计，并于1944年获得了该设计的专利。
晶体管的发明
1945年，贝尔实验室成立了一个固体物理学基础研究小组。布拉顿、巴丁和肖克利专注于用半导体放大器取代不可靠的真空管。1947年底，布拉顿和巴丁分析了早期场效应设计的失败，得出结论认为表面态捕获了电荷载流子。1947年12月16日，布拉顿成功地演示了使用锗表面上的两个金箔触点进行放大。12月23日，该团队向同事们展示了第一个功能性的点接触晶体管。
专业认可与晚年
布拉顿因与巴丁和肖克利合作开发晶体管而共同获得了1956年诺贝尔物理学奖。他的技术成就使他成为美国国家科学院、美国物理学会和美国艺术与科学院等组织的成员。他还获得了斯图尔特·巴兰坦奖章（Stuart Ballantine Medal）、约翰·斯科特奖（John Scott Award）和里希特迈尔纪念讲座奖（Richtmyer Memorial Lecture Award）。在研究生涯结束后，他在惠特曼学院担任职务。他于1987年在西雅图去世，安葬在波默罗伊市公墓。
快速事实
- 出生：1902年，厦门 - 去世：1987年，西雅图 - 国籍：美国 - 教育：俄勒冈大学，明尼苏达大学，惠特曼学院 - 主要奖项：诺贝尔物理学奖（1956年） - 发明：点接触晶体管 - 安葬地：波默罗伊市公墓
读者常见问题
### 布拉顿对物理学的主要贡献是什么？
他因在固体物理学方面的实验工作而受到认可，特别是发现半导体表面的光电效应和发明点接触晶体管。
### 他是独自开发晶体管的吗？
不是，他与贝尔实验室的约翰·巴丁和威廉·肖克利合作，并于1947年向同事演示了该设备。
