O desenvolvimento de cristais de nitreto de gálio de alta qualidade em substratos de safira forneceu a base técnica para os modernos díodos emissores de luz azul de alta luminosidade. Ao ser pioneiro na tecnologia de camadas tampão de baixa temperatura em 1985, Isamu Akasaki viabilizou a criação subsequente de LED de junção p-n eficientes em 1989, alterando fundamentalmente a trajetória da iluminação energeticamente eficiente e da física de semicondutores através das suas décadas de rigorosa investigação experimental.
Início de carreira e educação
Nascido em Chiran em 1929, Isamu Akasaki concluiu a sua educação na Escola Secundária de Konan, na Sétima Escola Superior e na Universidade de Quioto, graduando-se em 1952. Passou o início da sua carreira na Kobe Kogyo Corporation antes de se juntar à Universidade de Nagoya. Obteve um doutoramento em engenharia em 1964 com uma tese focada no crescimento epitaxial em fase de vapor de germânio. Seguidamente, transitoriamente passou para o Instituto de Investigação Matsushita em Tóquio, onde serviu como chefe do Laboratório de Investigação Básica IV e diretor-geral do Departamento de Semicondutores.
Avanços na física de semicondutores
No final da década de 1960, Akasaki começou a investigar o nitreto de gálio, adotando eventualmente a epitaxia por fase de vapor organometálica como o seu principal método de crescimento. O seu regresso à Universidade de Nagoya como professor em 1981 marcou uma mudança em direção ao aperfeiçoamento de estruturas de dispositivos. Em 1989, o seu grupo descobriu o nitreto de gálio do tipo p através de dopagem com magnésio seguida de irradiação eletrónica, o que permitiu os primeiros LED azuis e ultravioletas de junção p-n funcionais. Mais tarde, demonstrou o controlo da condutividade do tipo n utilizando dopagem com silício, facilitando a criação de heteroestruturas e designs de poços quânticos.
Liderança académica e legado
Akasaki ocupou numerosos cargos de liderança em projetos de investigação financiados pela Agência de Ciência e Tecnologia do Japão e pelo Ministério da Educação, Cultura, Desporto, Ciência e Tecnologia. Em 1992, mudou-se para a Universidade de Meijo, onde mais tarde se tornou diretor do Centro de Investigação para Tecnologias Principais de Semicondutores de Nitreto. Em 2006, foi inaugurado o Instituto Akasaki da Universidade de Nagoya para albergar o seu laboratório, uma galeria de LED e espaços de investigação colaborativa, financiados em grande parte por royalties das suas patentes. Permaneceu ativo na física até à sua morte em Nagoya a 1 de abril de 2021.
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- Nascido: 1929, Chiran, Japão - Falecido: 2021, Nagoya, Japão - Graus académicos: Licenciado em Ciências, Doutor em Engenharia - Prémio Nobel da Física: 2014 - Prémio Quioto em Tecnologia Avançada: 2009 - Prémio Rainha Isabel de Engenharia: 2021 - Invenção principal: LED azul de junção p-n (1989) - Afiliação profissional: Academia do Japão
Perguntas dos leitores
### Qual foi a principal contribuição científica de Isamu Akasaki?
Foi coinfantilizador — coinfantor do díodo emissor de luz azul de junção p-n de nitreto de gálio eficiente, permitindo a produção de fontes de luz branca brilhantes e economizadoras de energia.
### Onde é que Akasaki conduziu a sua investigação mais influente?
Realizou o seu trabalho crítico sobre cristais de nitreto de gálio no Instituto de Investigação Matsushita em Tóquio e na Universidade de Nagoya.
