로버트 노이스: 실리콘밸리의 시장

그린넬 칼리지 마지막 학년에 로버트 노이스는 사교 클럽 파티를 위해 시장의 농장에서 25파운드짜리 돼지를 훔쳤습니다. 그는 퇴학당할 뻔했으나 물리학 교수인 그랜트 게일이 변호하여 한 학기 정학으로 끝났습니다. 벨 연구소에서 최초의 트랜지스터 두 개를 가져와 수업 시간에 보여준 것도 바로 이 교수였습니다. 두 가지 개입 모두 중요했습니다. 정학은 노이스를 물리학에 머물게 했고, 트랜지스터는 그가 그것으로 무엇을 할지 결정하게 했습니다.

아이오와 출신 목사의 아들

노이스는 1927년 12월 12일 아이오와주 벌링턴에서 태어났습니다. 회중교회 목사인 랄프 브루스터 노이스 목사와 해리엇 메이 노턴 사이에서 태어난 네 아들 중 셋째였습니다. 해리엇은 목사의 딸이었으며 톰 울프의 묘사에 따르면 지적이고 지배적인 의지를 가진 여성이었습니다. 그는 그린넬에서 자랐습니다.

그는 1949년 물리학과 수학 학위를 받고 파이 베타 카파(Phi Beta Kappa) 회원으로 졸업했으며, 대학의 표현을 빌리자면 '최소한의 노력으로 최고의 성적을 거둔 졸업생'에게 수여되는 브라운 더비 상을 받았습니다. 이러한 재능과 가벼움은 그를 따라다녔습니다. 1953년 MIT에서 물리학 박사 학위를 받을 때 대학원 동료들은 그를 '래피드 로버트(Rapid Robert)'라고 불렀습니다.

그는 먼저 필라델피아의 필코 코퍼레이션에 연구 엔지니어로 들어갔고, 1956년에는 윌리엄 쇼클리의 스카우트를 받아 캘리포니아주 마운틴뷰의 쇼클리 반도체 연구소로 옮겼습니다. 쇼클리는 노벨상 수상자였지만 성격이 다루기 힘들었습니다. 1년 안에 노이스와 고든 무어를 포함한 7명의 동료는 사임하고('배신의 8인'), 셔먼 페어차일드의 지원을 받아 페어차일드 반도체를 설립했습니다.

산화막 위의 금속

노이스의 이름을 알린 문제는 상호 연결이었습니다. 텍사스 인스트루먼트의 잭 킬비는 1958년 단일 반도체 재료로 완전한 회로를 만들 수 있음을 증명했지만, 그의 방식은 부품 사이에 수작업으로 납땜한 미세한 와이어(플라잉 와이어)가 필요하여 대량 생산에는 부적합했습니다.

노이스의 해답은 페어차일드에서 이미 진행 중이던 연구에서 나왔습니다. 장 헤르니는 1959년 초 모하메드 아탈라의 실리콘 표면 부동태화 및 열산화 방식을 바탕으로 칩의 윗면을 평평한 산화막으로 덮는 평면 공정을 개발했습니다. 특허 변호사 존 롤스의 도전을 받은 노이스는 표면이 평평하고 절연되어 있다면 연결부를 그 위에 인쇄할 수 있다는 것을 깨달았습니다. 다이오드, 트랜지스터, 저항기, 커패시터를 실리콘 내에 확산시키고 그 위에 증착된 알루미늄 선으로 연결하는 방식입니다. 페어차일드는 웨이퍼 내의 소자를 전기적으로 분리하기 위해 쿠르트 레호베츠의 역바이어스 p-n 접합 방식을 채택했습니다. 노이스는 1959년 7월 반도체 소자 및 리드 구조에 대한 특허를 출원했고, 1961년 4월 25일에 발행되었으며, 1960년 5월에 첫 작동하는 모놀리식 회로가 생산 라인에서 나왔습니다.

페어차일드와 텍사스 인스트루먼트는 이후 수년간 법정 공방을 벌였습니다. 판결은 대체로 노이스에게 유리했지만, 양사는 교차 라이선스 계약으로 합의했고 역사는 두 사람을 집적 회로의 공동 발명자로 올바르게 기록하고 있습니다. 킬비는 그것이 가능하다는 것을 증명했고, 노이스는 그것을 제조 가능하게 만들었습니다. 그가 활용한 평면 접근 방식은 오늘날 칩이 제조되는 기본적인 방법으로 남아 있습니다.

인텔과 새로운 종류의 회사

1968년 7월 노이스와 무어는 페어차일드를 떠나 인텔을 설립했고, 노이스는 1975년까지 초대 최고경영자(CEO)를 역임했습니다. 기술도 중요했지만 그가 구축한 문화도 중요했으며, 이는 가장 휴대 가능한 수출품이 되었습니다. 노이스는 기업 계층 구조의 장식들을 폐지했습니다. 전용 주차장도, 전용 제트기도, 경영진을 위한 개인 사무실도 없었으며, 엔지니어는 감독이 아닌 책임에 반응한다는 전제하에 회사를 운영했습니다. 그 이후 실리콘밸리의 거의 모든 회사가 그 버전의 일부를 복제했지만, 종종 그 기원을 알지 못했습니다.

지역 내 그의 개인적 위상은 준공식적인 것이 되었고, 그는 '실리콘밸리의 시장'으로 알려졌습니다. 말년에는 업계의 공동 문제를 해결하기 위해 일본의 경쟁에 대응하기 위해 결성된 미국 반도체 제조 컨소시엄인 SEMATECH를 이끌었습니다. 그는 15개의 특허를 보유했습니다. 그는 비행기를 조종하고, 행글라이딩을 하고, 다이빙을 하고, 헤밍웨이를 읽었습니다. 1953년 엘리자베스 보텀리와 결혼하여 네 자녀를 두었으나 1974년에 이혼했습니다. 같은 해 말, 인텔의 초대 인사 담당 이사였으며 나중에 애플의 초대 인사 담당 부사장이 된 앤 슈멜츠 바워스와 재혼했습니다.

수상 경력은 상당합니다. 1966년 프랭클린 연구소의 스튜어트 발란타인 메달, 1978년 실리콘 집적 회로에 대한 공로로 IEEE 명예 메달, 1979년 국가 과학 메달과 패러데이 메달, 1980년 미국 예술 과학 아카데미 회원 선출, 1987년 로널드 레이건 대통령으로부터 국가 기술 메달을 받았습니다. 1989년에는 조지 H. W. 부시 대통령의 기조연설과 함께 미국 비즈니스 명예의 전당에 입성했습니다. 그는 1990년 6월 3일 심장마비로 62세의 나이에 사망했습니다.

로버트가 천재라고 불리는 이유

노이스의 재능은 모두가 정면으로 공격하던 문제를 측면에서 해결할 수 있다는 것을 보는 것이었습니다. 1959년 당시 업계는 개별 부품을 축소하고 연결하려고 노력했지만, 노이스는 헤르니의 평면 공정이 연결을 별도의 단계로 불필요하게 만드는 것, 즉 배선을 인쇄할 수 있는 평평한 절연 표면을 우연히 만들어냈다는 것을 보았습니다. 이는 일반적인 의미의 발명과는 다른 인지적 움직임입니다. 문제에 대한 해결책이 이미 인식되지 않은 채 다른 문제 옆에 놓여 있다는 것을 인식하는 것입니다.

그는 또한 비정상적으로 빨랐습니다. '래피드 로버트'는 MIT 물리학자들이 무심코 붙인 별명이 아니며, 최소한의 노력으로 최고의 성적을 거둔 브라운 더비 상도 같은 자질을 가리킵니다. 국가 과학 메달, 국가 기술 메달, IEEE 명예 메달, 패러데이 메달 등 미국 기관들이 이만큼 강력하게 그 평가를 뒷받침한 사례는 드뭅니다.

솔직한 반론은 모놀리식 집적 회로가 그 혼자만의 것이 아니었다는 점입니다. 킬비는 원리를 증명하는 데 앞섰고 노이스의 사망으로 노이스가 대상에서 제외된 10년 후인 2000년에 노벨상을 받았습니다. 헤르니는 평면 공정을 발명했고, 레호베츠는 분리 방법을 제공했으며, 아탈라는 표면 화학을 제공했습니다. 노이스의 공헌은 상업적으로 무엇이 중요한지를 통합하고 인식한 것이며, 이것이 바로 법정 공방이 벌어지고 무승부로 끝난 이유입니다. 페어차일드와 인텔에서의 그의 리더십은 결국 더 큰 업적일 수 있지만, 리더십은 탁월함과 같은 것이 아닙니다.

유산

모든 마이크로프로세서는 노이스가 1959년에 스케치한 설계 원칙에서 파생되었으며, 기술 기업이 조직되는 방식의 많은 부분은 그가 인텔을 운영한 방식에서 파생되었습니다. 그는 캘리포니아 폴리테크닉 주립대학교 샌루이스오비스포 캠퍼스에 노이스 응용 컴퓨팅 스쿨을 설립했고, 평생 모든 수준에서 더 나은 과학 교육을 위해 노력했습니다. 그가 사망한 1990년에 그는 잭 킬비 및 존 바딘(트랜지스터 발명가, 집적 회로의 첫 번째 구축자, 그리고 그것을 세계가 대량 생산할 수 있게 만든 사람)과 함께 평생 공로상을 나누었습니다.