点接触型トランジスタは、ウォルター・ハウザー・ブラッテン、ジョン・バーディーン、ウィリアム・ショックレーによる半導体の継続的な研究から生まれました。1902年に中国のアモイで生まれたブラッテンは、アメリカで学術的な道を歩み、ベル電話研究所で重要な役割を果たしました。そこで彼は、表面状態と固体物理学の理解を深めることにキャリアを捧げました。
初期の教育と学術的基盤
ブラッテンはワシントン州で育ち、クイーン・アン高校とトナセット高校を経てウィットマン・カレッジに入学しました。1924年に物理学と数学の二重専攻で卒業しました。その後、オレゴン大学で学業を続け、1926年に修士号を取得しました。1929年にはミネソタ大学で博士号を取得し、ジョン・ヴァン・ヴレックの下で量子力学を学び、ジョン・T・テートの下で電子衝突に関する論文を執筆しました。
ベル研究所と半導体研究
国立標準局での短い勤務を経て、ブラッテンは1929年にベル電話研究所に入所しました。ジョセフ・A・ベッカーと共に、亜酸化銅とシリコンにおける熱電子放出と整流に関する実験を行いました。半導体表面における光電効果に関するこれらの研究は、固体物理学への重要な貢献となりました。第二次世界大戦中、彼の研究は国防研究委員会に向けられ、潜水艦を探知するための磁気計を開発し、1944年にその設計で特許を取得しました。
トランジスタの発明
1945年、ベル研究所は固体物理学の基礎研究グループを設立しました。ブラッテン、バーディーン、ショックレーは、信頼性の低い真空管を半導体増幅器に置き換えることに注力しました。1947年後半、ブラッテンとバーディーンは以前の電界効果設計の失敗を分析し、表面状態が電荷キャリアをトラップしていると結論付けました。1947年12月16日、ブラッテンはゲルマニウム表面上の2つの金箔接点を使用して増幅を実証することに成功しました。12月23日、チームは最初の機能的な点接触型トランジスタを同僚に発表しました。
専門的な評価と晩年
ブラッテンは、トランジスタの共同開発により、バーディーンおよびショックレーと共に1956年のノーベル物理学賞を受賞しました。彼の技術的功績は、全米科学アカデミー、アメリカ物理学会、アメリカ芸術科学アカデミーなどの組織での会員資格につながりました。また、スチュアート・バランタイン・メダル、ジョン・スコット賞、リヒトマイヤー記念講演賞も受賞しました。研究キャリアの後、ウィットマン・カレッジで教鞭をとりました。1987年にシアトルで死去し、ポメロイ市墓地に埋葬されています。
基本情報
- 生年月日: 1902年、アモイ - 没年月日: 1987年、シアトル - 国籍: アメリカ合衆国 - 教育: オレゴン大学、ミネソタ大学、ウィットマン・カレッジ - 主な受賞歴: ノーベル物理学賞 (1956年) - 発明: 点接触型トランジスタ - 埋葬地: ポメロイ市墓地
読者からの質問
### ブラッテンの物理学への主な貢献は何ですか？
彼は固体物理学における実験的研究、特に半導体表面における光電効果の発見と点接触型トランジスタの発明で知られています。
### 彼は一人でトランジスタを開発したのですか？
いいえ、ベル研究所でジョン・バーディーンおよびウィリアム・ショックレーと協力し、1947年に同僚にデバイスを実証しました。
