El transistor de contacto puntual se originó a partir de la investigación persistente de semiconductores realizada por Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Shockley. Nacido en 1902 en Xiamen, China, Brattain siguió una trayectoria académica en los Estados Unidos que lo llevó a un papel fundamental en los Laboratorios Bell Telephone, donde pasó su carrera avanzando en la comprensión de los estados superficiales y la física del estado sólido.
Educación temprana y base académica
Brattain creció en el estado de Washington, asistiendo a Queen Anne High School y Tonasket High School antes de inscribirse en Whitman College. Se graduó en 1924 con una doble especialización en física y matemáticas. Continuó su formación académica en la Universidad de Oregón, obteniendo una maestría en 1926, y completó su doctorado en la Universidad de Minnesota en 1929, donde estudió mecánica cuántica bajo la dirección de John Van Vleck y escribió una tesis sobre el impacto de electrones bajo John T. Tate.
Laboratorios Bell e investigación de semiconductores
Tras un breve período en la Oficina Nacional de Estándares, Brattain se unió a los Laboratorios Bell Telephone en 1929. Trabajando junto a Joseph A. Becker, realizó experimentos sobre emisión termoiónica y rectificación en óxido cuproso y silicio. Estos estudios sobre el efecto fotoeléctrico en superficies semiconductoras fueron contribuciones significativas a la física del estado sólido. Durante la Segunda Guerra Mundial, su investigación se centró en el Comité de Investigación de Defensa Nacional, donde desarrolló magnetómetros para detectar buques sumergidos, obteniendo una patente por su diseño en 1944.
La invención del transistor
En 1945, los Laboratorios Bell establecieron un grupo de investigación fundamental en física del estado sólido. Brattain, Bardeen y Shockley se centraron en reemplazar los tubos de vacío poco fiables con amplificadores semiconductores. A finales de 1947, Brattain y Bardeen analizaron el fallo de diseños anteriores de efecto de campo, concluyendo que los estados superficiales atrapaban portadores de carga. El 16 de diciembre de 1947, Brattain demostró con éxito la amplificación utilizando dos contactos de hoja de oro sobre una superficie de germanio. El 23 de diciembre, el equipo presentó el primer transistor de contacto puntual funcional a sus colegas.
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Hacer la prueba de CI →Reconocimiento profesional y últimos años
Brattain compartió el Premio Nobel de Física de 1956 con Bardeen y Shockley por su desarrollo colaborativo del transistor. Sus logros técnicos le valieron membresías en organizaciones como la Academia Nacional de Ciencias, la Sociedad Estadounidense de Física y la Academia Estadounidense de las Artes y las Ciencias. También fue honrado con la Medalla Stuart Ballantine, el Premio John Scott y el Premio Richtmyer Memorial Lecture. Después de su carrera investigadora, ocupó un cargo en Whitman College. Falleció en 1987 en Seattle y está enterrado en el cementerio de la ciudad de Pomeroy.
Datos rápidos
- Nacimiento: 1902, Xiamen - Fallecimiento: 1987, Seattle - Ciudadanía: Estados Unidos - Educación: Universidad de Oregón, Universidad de Minnesota, Whitman College - Premio principal: Premio Nobel de Física (1956) - Invención: Transistor de contacto puntual - Lugar de entierro: Cementerio de la ciudad de Pomeroy
Preguntas frecuentes de los lectores
### ¿Cuál fue la contribución principal de Brattain a la física?
Es reconocido por su trabajo experimental en física del estado sólido, específicamente el descubrimiento del efecto fotoeléctrico en superficies semiconductoras y la invención del transistor de contacto puntual.
### ¿Trabajó solo en el transistor?
No, colaboró con John Bardeen y William Shockley en los Laboratorios Bell, demostrando el dispositivo a sus colegas en 1947.
