Nokta temaslı transistör, Walter Houser Brattain, John Bardeen ve William Shockley'in yarı iletkenler üzerindeki ısrarlı araştırmalarından doğmuştur. 1902'de Xiamen, Çin'de doğan Brattain, Amerika Birleşik Devletleri'nde akademik bir yol izledi ve bu yol onu Bell Telephone Laboratories'de temel bir role taşıdı; burada kariyerini yüzey durumları ve katı hal fiziği anlayışını ilerletmeye adadı.
Erken Eğitim ve Akademik Temel
Brattain, Washington eyaletinde büyüdü ve Whitman College'a kaydolmadan önce Queen Anne Lisesi ve Tonasket Lisesi'ne devam etti. 1924 yılında fizik ve matematik alanında çift ana dal ile mezun oldu. Akademik eğitimine Oregon Üniversitesi'nde devam ederek 1926'da yüksek lisans derecesini aldı ve 1929'da Minnesota Üniversitesi'nde doktorasını tamamladı; burada John Van Vleck yönetiminde kuantum mekaniği çalıştı ve John T. Tate yönetiminde elektron çarpması üzerine bir tez yazdı.
Bell Labs ve Yarı İletken Araştırmaları
Ulusal Standartlar Bürosu'ndaki kısa bir sürenin ardından Brattain, 1929'da Bell Telephone Laboratories'e katıldı. Joseph A. Becker ile birlikte çalışarak, bakır oksit ve silikonda termiyonik emisyon ve doğrultma üzerine deneyler yaptı. Yarı iletken yüzeylerdeki foto-etki ile ilgili bu çalışmalar, katı hal fiziğine önemli katkılardı. İkinci Dünya Savaşı sırasında araştırmaları, batık gemileri tespit etmek için manyetometreler geliştirdiği Ulusal Savunma Araştırma Komitesi'ne yöneldi ve 1944'te tasarımı için patent aldı.
Transistörün İcadı
1945'te Bell Labs, katı hal fiziğinde temel bir araştırma grubu kurdu. Brattain, Bardeen ve Shockley, güvenilmez vakum tüplerini yarı iletken amplifikatörlerle değiştirmeye odaklandılar. 1947'nin sonlarında Brattain ve Bardeen, önceki alan etkisi tasarımlarının başarısızlığını analiz ettiler ve yüzey durumlarının yük taşıyıcılarını hapsettiği sonucuna vardılar. 16 Aralık 1947'de Brattain, germanyum yüzeyinde iki altın yaprak teması kullanarak amplifikasyonu başarıyla gösterdi. 23 Aralık'ta ekip, ilk işlevsel nokta temaslı transistörü meslektaşlarına sundu.
Mesleki Tanınma ve Sonraki Yıllar
Brattain, transistörün ortaklaşa geliştirilmesi nedeniyle 1956 Nobel Fizik Ödülü'nü Bardeen ve Shockley ile paylaştı. Teknik başarıları ona Ulusal Bilimler Akademisi, Amerikan Fizik Derneği ve Amerikan Sanat ve Bilim Akademisi gibi kuruluşlarda üyelik kazandırdı. Ayrıca Stuart Ballantine Madalyası, John Scott Ödülü ve Richtmyer Anma Konferansı Ödülü ile onurlandırıldı. Araştırma kariyerinden sonra Whitman College'da bir görev üstlendi. 1987'de Seattle'da öldü ve Pomeroy Şehir Mezarlığı'na gömüldü.
Hızlı bilgiler
- Doğum: 1902, Xiamen - Ölüm: 1987, Seattle - Vatandaşlık: Amerika Birleşik Devletleri - Eğitim: Oregon Üniversitesi, Minnesota Üniversitesi, Whitman College - Önemli Ödül: Nobel Fizik Ödülü (1956) - İcat: Nokta temaslı transistör - Mezarlık: Pomeroy Şehir Mezarlığı
Okuyucuların sorduğu sorular
### Brattain'in fiziğe birincil katkısı neydi?
Katı hal fiziğindeki deneysel çalışmaları, özellikle yarı iletken yüzeylerdeki foto-etkinin keşfi ve nokta temaslı transistörün icadı ile tanınır.
### Transistör üzerinde tek başına mı çalıştı?
Hayır, Bell Labs'te John Bardeen ve William Shockley ile işbirliği yaptı ve cihazı 1947'de meslektaşlarına gösterdi.
