Создание высококачественных кристаллов нитрида галлия на сапфировых подложках заложило техническую основу для современных синих светодиодов высокой яркости. Пионерски применив технологию низкотемпературных буферных слоев в 1985 году, Исаму Акасаки (Isamu Akasaki) сделал возможным последующее создание эффективных p-n-переходных светодиодов в 1989 году, коренным образом изменив траекторию развития энергоэффективного освещения и физики полупроводников благодаря десятилетиям строгих экспериментальных исследований.
Начало карьерного пути и образование
Родившийся в Чиране в 1929 году, Исаму Акасаки получил образование в средней школе Конан, Седьмой высшей школе и Киотском университете, который окончил в 1952 году. Свою карьеру он начал в корпорации Kobe Kogyo, после чего перешел в Нагойский университет. В 1964 году он получил степень доктора инженерных наук, защитив диссертацию, посвященную эпитаксиальному росту германия из газовой фазы. После этого он перешел в Исследовательский институт Мацусита в Токио, где занимал должность руководителя Лаборатории фундаментальных исследований IV и генерального менеджера департамента полупроводников.
Прорывы в физике полупроводников
В конце 1960-х годов Акасаки начал исследовать нитрид галлия, в конечном итоге выбрав металлорганическую газофазную эпитаксию в качестве основного метода роста. Его возвращение в Нагойский университет в качестве профессора в 1981 году ознаменовало переход к совершенствованию структур приборов. В 1989 году его группа открыла p-тип нитрида галлия путем легирования магнием с последующим облучением электронами, что позволило создать первые функциональные синие и ультрафиолетовые p-n-светодиоды. Позже он продемонстрировал управление проводимостью n-типа с помощью легирования кремнием, что облегчило создание гетероструктур и квантово-размерных структур.
Академическое руководство и наследие
Акасаки занимал множество руководящих должностей в исследовательских проектах, финансируемых Японским агентством по науке и технологии и Министерством образования, культуры, спорта, науки и технологий. В 1992 году он перешел в университет Мэйдзё, где позже стал директором Исследовательского центра базовых технологий нитридных полупроводников. В 2006 году в Нагойском университете открылся Институт Акасаки, в котором разместились его лаборатория, галерея светодиодов и пространства для совместных исследований, финансируемые в основном за счет гонораров от его патентов. Он оставался активным в области физики до своей смерти в Нагое 1 апреля 2021 года.
Двадцать вопросов, восемь минут на часах и процентиль, измеренный по всем, кто его проходил. Без регистрации.
Пройти тест IQ →Краткие факты
- Родился: 1929, Чиран, Япония - Умер: 2021, Нагоя, Япония - Ученые степени: Бакалавр наук, доктор инженерных наук - Нобелевская премия по физике: 2014 - Премия Киото за передовые технологии: 2009 - Премия королевы Елизаветы в области инженерии: 2021 - Ключевое изобретение: Синий p-n-светодиод (1989) - Профессиональное членство: Японская академия наук
Вопросы читателей
### Каков был основной научный вклад Исаму Акасаки?
Он стал соизобретателем эффективного синего светодиода на основе p-n-перехода из нитрида галлия, что позволило производить яркие и энергосберегающие источники белого света.
### Где Акасаки проводил свои самые влиятельные исследования?
Свою ключевую работу над кристаллами нитрида галлия он выполнил в Исследовательском институте Мацусита в Токио и в Нагойском университете.
