O transistor de contato pontual originou-se da investigação persistente de semicondutores realizada por Walter Houser Brattain, John Bardeen e William Shockley. Nascido em 1902 em Xiamen, China, Brattain seguiu uma trajetória acadêmica nos Estados Unidos que o levou a um papel fundamental nos Laboratórios Bell Telephone, onde passou sua carreira avançando na compreensão dos estados de superfície e da física do estado sólido.
Educação inicial e base acadêmica
Brattain cresceu no estado de Washington, frequentando a Queen Anne High School e a Tonasket High School antes de se matricular no Whitman College. Ele se formou em 1924 com especialização dupla em física e matemática. Continuou sua formação acadêmica na Universidade de Oregon, obtendo um mestrado em 1926, e completou seu doutorado na Universidade de Minnesota em 1929, onde estudou mecânica quântica sob a direção de John Van Vleck e escreveu uma tese sobre o impacto de elétrons sob John T. Tate.
Laboratórios Bell e pesquisa de semicondutores
Após um curto período no National Bureau of Standards, Brattain juntou-se aos Laboratórios Bell Telephone em 1929. Trabalhando ao lado de Joseph A. Becker, realizou experimentos sobre emissão termoiônica e retificação em óxido cuproso e silício. Esses estudos sobre o efeito fotoelétrico em superfícies semicondutoras foram contribuições significativas para a física do estado sólido. Durante a Segunda Guerra Mundial, sua pesquisa voltou-se para o Comitê de Pesquisa de Defesa Nacional, onde desenvolveu magnetômetros para detectar navios submersos, obtendo uma patente por seu projeto em 1944.
A invenção do transistor
Em 1945, os Laboratórios Bell estabeleceram um grupo de pesquisa fundamental em física do estado sólido. Brattain, Bardeen e Shockley concentraram-se em substituir tubos de vácuo pouco confiáveis por amplificadores semicondutores. No final de 1947, Brattain e Bardeen analisaram a falha de projetos anteriores de efeito de campo, concluindo que os estados de superfície prendiam portadores de carga. Em 16 de dezembro de 1947, Brattain demonstrou com sucesso a amplificação usando dois contatos de folha de ouro em uma superfície de germânio. Em 23 de dezembro, a equipe apresentou o primeiro transistor de contato pontual funcional aos seus colegas.
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Brattain compartilhou o Prêmio Nobel de Física de 1956 com Bardeen e Shockley por seu desenvolvimento colaborativo do transistor. Suas conquistas técnicas lhe renderam associações em organizações como a Academia Nacional de Ciências, a Sociedade Americana de Física e a Academia Americana de Artes e Ciências. Ele também foi homenageado com a Medalha Stuart Ballantine, o Prêmio John Scott e o Prêmio Richtmyer Memorial Lecture. Após sua carreira de pesquisa, ele ocupou um cargo no Whitman College. Ele faleceu em 1987 em Seattle e está enterrado no cemitério da cidade de Pomeroy.
Fatos rápidos
- Nascimento: 1902, Xiamen - Falecimento: 1987, Seattle - Cidadania: Estados Unidos - Educação: Universidade de Oregon, Universidade de Minnesota, Whitman College - Prêmio principal: Prêmio Nobel de Física (1956) - Invenção: Transistor de contato pontual - Local de sepultamento: Cemitério da cidade de Pomeroy
Perguntas dos leitores
### Qual foi a principal contribuição de Brattain para a física?
Ele é reconhecido por seu trabalho experimental em física do estado sólido, especificamente a descoberta do efeito fotoelétrico em superfícies semicondutoras e a invenção do transistor de contato pontual.
### Ele trabalhou sozinho no transistor?
Não, ele colaborou com John Bardeen e William Shockley nos Laboratórios Bell, demonstrando o dispositivo aos colegas em 1947.
