점접촉 트랜지스터는 월터 하우저 브래튼, 존 바딘(John Bardeen), 윌리엄 쇼클리(William Shockley)의 지속적인 반도체 연구에서 비롯되었습니다. 1902년 중국 샤먼에서 태어난 브래튼은 미국에서 학문적 길을 걸었으며, 벨 전화 연구소(Bell Telephone Laboratories)에서 표면 상태와 고체 물리학에 대한 이해를 높이는 데 경력을 바쳤습니다.
초기 교육 및 학문적 기반
브래튼은 워싱턴주에서 자랐으며, 퀸 앤 고등학교와 토나스켓 고등학교를 거쳐 휘트먼 칼리지에 입학했습니다. 1924년 물리학과 수학을 복수 전공으로 졸업했습니다. 이후 오리건 대학교에서 학업을 이어가 1926년 석사 학위를 받았고, 1929년 미네소타 대학교에서 박사 학위를 마쳤습니다. 그곳에서 존 밴 블렉(John Van Vleck)의 지도하에 양자 역학을 공부하고 존 T. 테이트(John T. Tate)의 지도하에 전자 충돌에 관한 논문을 썼습니다.
벨 연구소와 반도체 연구
국립 표준국에서의 짧은 근무 후, 브래튼은 1929년 벨 전화 연구소에 입사했습니다. 조셉 A. 베커(Joseph A. Becker)와 함께 산화구리와 실리콘의 열전자 방출 및 정류 실험을 수행했습니다. 반도체 표면의 광전 효과에 관한 이러한 연구는 고체 물리학에 중요한 기여를 했습니다. 제2차 세계 대전 중 그의 연구는 국방 연구 위원회로 향했으며, 잠수함을 탐지하기 위한 자기계를 개발하여 1944년 특허를 받았습니다.
트랜지스터의 발명
1945년, 벨 연구소는 고체 물리학 기초 연구 그룹을 설립했습니다. 브래튼, 바딘, 쇼클리는 신뢰할 수 없는 진공관을 반도체 증폭기로 대체하는 데 집중했습니다. 1947년 말, 브래튼과 바딘은 이전의 전계 효과 설계 실패를 분석하여 표면 상태가 전하 운반체를 가두고 있다는 결론을 내렸습니다. 1947년 12월 16일, 브래튼은 게르마늄 표면의 두 금박 접점을 사용하여 증폭을 성공적으로 시연했습니다. 12월 23일, 팀은 동료들에게 첫 기능성 점접촉 트랜지스터를 발표했습니다.
전문적 인정 및 말년
브래튼은 트랜지스터 공동 개발로 바딘, 쇼클리와 함께 1956년 노벨 물리학상을 수상했습니다. 그의 기술적 업적은 미국 국립 과학 아카데미, 미국 물리학회, 미국 예술 과학 아카데미 등의 회원 자격으로 이어졌습니다. 또한 스튜어트 발란타인 메달, 존 스콧 상, 리히트마이어 기념 강연상을 수상했습니다. 연구 경력 이후에는 휘트먼 칼리지에서 근무했습니다. 1987년 시애틀에서 사망하여 포머로이 시립 묘지에 안장되었습니다.
빠른 사실
- 출생: 1902년, 샤먼 - 사망: 1987년, 시애틀 - 국적: 미국 - 교육: 오리건 대학교, 미네소타 대학교, 휘트먼 칼리지 - 주요 수상: 노벨 물리학상 (1956년) - 발명: 점접촉 트랜지스터 - 안장지: 포머로이 시립 묘지
독자 질문
### 브래튼의 물리학에 대한 주요 기여는 무엇인가요?
그는 고체 물리학에서의 실험적 연구, 특히 반도체 표면의 광전 효과 발견과 점접촉 트랜지스터 발명으로 인정받고 있습니다.
### 그가 혼자 트랜지스터를 개발했나요?
아니요, 그는 벨 연구소에서 존 바딘 및 윌리엄 쇼클리와 협력하여 1947년 동료들에게 장치를 시연했습니다.
