클라우스 폰 클리칭
클라우스 폰 클리칭(독일어: [ˈklaʊs fɔn ˈklɪtsɪŋ]; 1943년 6월 28일 출생)은 정수 양자 홀 효과를 발견한 공로로 1985년 노벨 물리학상을 수상한 독일의 물리학자이다.
폰 클리칭은 미텔마크 지역의 유서 깊은 귀족 가문인 폰 클리칭 가문에서 태어났다. 그와 그의 가족은 1945년 독일인 추방자로서 페히타 인근의 루텐에 도착했다. 1948년에는 올덴부르크로 이주했고, 1951년에는 클로펜부르크 지구의 에센으로 이주했다.
교육
에센에서 폰 클리칭은 개신교 초등학교를 다녔으며, 그곳에서 나이가 더 많은 학생들을 대상으로 한 심화반 수업을 들을 수 있었다. 1953년부터는 쿠아켄브뤼크의 아틀란트김나지움에 다녔으며, 1962년 수석으로 아비투어를 취득했다.
이후 브라운슈바이크 공과대학교에서 물리학을 공부하여 1969년 디플로마 학위를 받았다. 그는 고트프리트 란트베어의 지도 아래 뷔르츠부르크 대학에서 학업을 계속하여, 1972년 '강한 자기장에서 텔루륨의 갈바노자기적 성질'(독일어: Galvanomagnetische Eigenschaften von Tellur in starken Magnetfeldern)이라는 제목의 박사 학위 논문을 완료했고, 1978년 교수 자격(하빌리타시온)을 취득했다.
연구 및 경력
폰 클리칭은 경력 동안 옥스퍼드 대학의 클라렌던 연구소와 프랑스의 그르노블 고자기장 연구소(현 LNCMI)에서 근무했으며, 1980년 뮌헨 공과대학교 교수가 될 때까지 그곳에서 연구를 계속했다. 1985년부터는 슈투트가르트의 막스 플랑크 고체 연구소 소장을 맡고 있다.
폰 클리칭 상수 $R_K = h/e = 25812.80745...\ \Omega$는 클라우스 폰 클리칭의 양자 홀 효과 발견을 기리기 위해 명명되었으며, 미국 국립표준기술원(NIST)의 상수, 단뒤 및 불확도 참고 자료에 등재되어 있다. 이 상수의 역수는 컨덕턴스 양자 값의 절반과 같다.
최근 폰 클리칭의 연구는 일반적으로 저온 및 고자기장에서 저차원 전자 시스템의 특성에 초점을 맞추고 있다.
명예 및 수상
폰 클리칭은 다음과 같은 수많은 상과 명예를 받았다:
- 1985년 막스 플랑크 고체 연구소 종신 이사
- 1986년 미국 성취 아카데미 골든 플레이트 어워드
- 1986년 바덴뷔르템베르크주 공로훈장
- 1988년 카를마르크스슈타트 공과대학교 명예 박사
- 1988년 바이에른 막시밀리안 과학예술훈장
- 1988년 뉴사우스웨일스 대학 디랙 메달 및 강연
- 1992년 배스 대학 명예 학위(이학 박사)
- 1999년 독일 물리학회 명예 회원
- 2003년 영국 왕립학회 외국인 회원 선출(ForMemRS)
- 2003년 뮌헨 공과대학교 물리학과 명예 박사
- 2005년 브라운슈바이크 과학협회 카를 프리дри히 가우스 메달
- 2006년 올덴부르크 대학 명예 박사
- 2007년 중국과학원 회원
- 2007년 교황청 과학아카데미 회원
- 2009년 오스트리아 과학예술 훈장
- 2012년 뮌헨 공과대학교 저명 석좌교수(Distinguished Affiliated Professor)
- 2016년 산마르틴 국립대학교 명예 박사
- 2019년 과학예술 푸르 르 메리트 훈장
- 쿠아켄브뤼크의 프로페서 폰 클리칭 슈트라세와 란다우의 클라우스 폰 클리칭 슈트라세는 그의 이름을 따서 명명되었다
- 2019년 FLOGEN 스타 아웃리치가 SIPS 2019에서 수여한 프레이 국제 지속가능성상



